SSx65R380ME系列是一款采用先进超结技术的功率MOSFET，能够实现极低的导通电阻和栅极电荷。
SSx65R190ME系列是一款采用先进超结技术的功率MOSFET，能够实现极低的导通电阻和栅极电荷。
SSx65R190FR系列是一款采用先进超结技术的功率MOSFET，能够实现极低的导通电阻和栅极电荷。
SSx55R160F系列是一款采用先进超结技术的功率MOSFET，能够实现极低的导通电阻和栅极电荷。
基于XLW先进的设计理念及宽带隙材料的独特特性，我们的碳化硅功率MOSFET具备低导通电阻、低栅极电荷、低Qrr值以及卓越的热性能。
普通功率MOS管（即功率MOSFET，Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一种电压控制型半导体开关器件。
常规贴片工作原理主要分为SMT贴片机和DC贴片插座两种类型。
常规贴片工作原理主要分为SMT贴片机和DC贴片插座两种类型
MP214系列结合了两个砷化铝镓红外发射二极管作为发射器。
MPC354系列将两个砷化铝镓红外发射二极管作为交流输入，其光学耦合到塑料SOP4封装中的硅平面光电晶体管探测器，具有不同的铅形成选项。
MPC816系列将砷化铝镓红外发射二极管作为发射极，该二极管光学耦合到塑料DIP4封装中的硅平面光电晶体管探测器，具有不同的铅形成选项。
MPC101X系列结合了砷化铝镓红外发射二极管作为发射极，该发射极管光学耦合到塑料LSOP4封装中的硅平面光电晶体管探测器，具有不同的铅形成选项。
MPC817系列结合了一个砷化铝镓红外发射二极管作为发射极，该二极管光学耦合到塑料DIP4封装中的硅平面光电晶体管探测器，具有不同的铅形成选项。
SSx65R160FR系列是一款采用先进超结技术的功率MOSFET，能够实现极低的导通电阻和栅极电荷。
SSx65R160F系列是一款采用先进超结技术的功率MOSFET，能够实现极低的导通电阻和栅极电荷。
SSx65R090F系列是一款采用先进超结技术的功率MOSFET，能够实现极低的导通电阻和栅极电荷。
SSx65R070FR系列是一款采用先进超结技术的功率MOSFET，能够实现极低的导通电阻和栅极电荷。
低电阻贴片通常指贴片电阻或贴片电感等表面贴装元件，其工作原理因类型不同而有所区别。
低电阻贴片通常指贴片电阻或贴片电感等表面贴装元件，其工作原理因类型不同而有所区别。
常规贴片工作原理主要分为SMT贴片机和DC贴片插座两种类型。
贴片保险丝是小型保险丝领域技术含量较高的新型电路保护元件，按功能分为贴片电流保险丝（一次性熔断）和贴片自恢复保险丝（可重复使用）两类。
贴片保险丝是小型保险丝领域技术含量较高的新型电路保护元件，按功能分为贴片电流保险丝（一次性熔断）和贴片自恢复保险丝（可重复使用）两类。
结合砷化铝镓红外发射二极管作为发射极，其光学耦合到硅高速集成光电探测器逻辑门，其塑料DIP8封装具有不同的铅形成选项。
MPC301X-4L、MPC302X-4L、MPC305X-4L和MPC307X-4L系列将砷化铝镓梗死发射二极管作为发射器，其光学耦合到单片随机相硅的光电晶体中。
MPC356系列结合了一个砷化铝镓红外发射二极管作为发射极，该发射极管光学耦合到塑料SOP4封装中的硅平面光电晶体管探测器。
MPH-314系列光耦合器非常适合驱动电源逆变器和用于电机控制的逆变器和MOSFET。
MPH-341系列光耦合器非常适合驱动逆变器和用于电机控制逆变器和逆变器。
MPCM501系列结合了一个砷化铝镓红外发射二极管作为发射器，该发射器光学耦合到一个塑料SOP5封装中的硅高速光电晶体管。
